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厂商型号

SBC847BWT1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SSP XSTR SC-70 NPN

内部编号

277-SBC847BWT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:195000
1+¥0.5394
25+¥0.5394
100+¥0.4623
500+¥0.4623
1000+¥0.4623
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:7200
1+¥3.0035
10+¥2.2492
100+¥1.2734
500+¥0.8431
1000+¥0.6464
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:145
1+¥3.2137
10+¥1.8325
100+¥0.7863
1000+¥0.6017
3000+¥0.4581
24000+¥0.3829
45000+¥0.335
99000+¥0.3214
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SBC847BWT1G产品详细规格

规格书 SBC847BWT1G datasheet 规格书
BC/SBC84x Series
SBC847BWT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 200@2mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-323
最低工作温度 -55
最大功率耗散 150
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
供应商封装形式 SC-70
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 45
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
系列 *
标准包装 3,000
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
集电极 - 发射极饱和电压 250 mV
晶体管极性 NPN
工厂包装数量 3000
品牌 ON Semiconductor
直流电流增益hFE最大值 450 at 2 mA at 5 V
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 200 mW
封装/外壳 SOT-323-3
集电极最大直流电流 100 mA
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
直流集电极/增益hfe最小值 200 at 2 mA at 5 V
RoHS RoHS Compliant

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